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  • 德国分子束外延 Laser MBE
德国分子束外延 Laser MBE

德国分子束外延 Laser MBE

  • Laser MBELaser MBE特点模块化概念,Laser MBE可以轻松升级到中央传输模块或其他模块UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输先进的工艺自动化功能,可实现超晶格生长温度测量准确的耐氧衬底加热器,最高1000 ℃,也可以选配激光加热靶台可以屏蔽交叉污染,传输整个carrousel而非单个靶材真空腔室利于系统升级。

产品详情

Laser MBE


Laser MBE
Laser MBE


特点


  • 模块化概念,Laser MBE可以轻松升级到中央传输模块或其他模块

  • UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输

  • 先进的工艺自动化功能,可实现超晶格生长

  • 温度测量准确的耐氧衬底加热器,最高1000 ℃,也可以选配激光加热

  • 靶台可以屏蔽交叉污染,传输整个carrousel而非单个靶材

  • 真空腔室利于系统升级(RHEED,等离子体源,OES/FTIR等)

  • SURFACE激光能量密度控制选件,100%的结果可重复性

  • 全封闭光路,安全省事

  • 整套交付,先进的在线支持


PLD/Laser MBE腔室


PLD/Laser MBE腔室
PLD/Laser MBE腔室


SURFACE的Laser MBE腔室专为科研而设计,并提供高级Laser MBE需要的所有特征。


  • 衬底和靶材的UHV传输

  • 冷壁设计防止沉积过程中腔壁放气

  • 原位分析窗口和法兰口(RHEED,OES或FTIR,质谱仪)

  • 沉积源和等离子体源备用法兰口

  • 先进的SURFACE衬底加热器或激光加热

  • 靶台最多可存贮5个1寸靶材


激光能量密度控制


激光能量密度控制
激光能量密度控制


Laser MBE可以选配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以确保薄膜沉积的重复性。在每一步沉积前,自动校准激光能量密度,脉冲能量随着时间推移而始终保持恒定。


Load Lock


Loadlock腔室最多可同时装载5个样品和2个靶台carrousel。


控制软件


控制软件
控制软件


SURFACE的Laser MBE设备均是高度自动化的,可以自动控制整个沉积过程,从而确保设备易于操作。


多个工艺步骤被合并到一个沉积程序中,直观的工艺过程可视化操作,高度灵活的数据记录和导出,优异的自我测试能力。


升级到Cluster系统


Cluster系统
Cluster系统


Laser MBE可以轻松升级为功能齐备的cluster系统。在PLD主腔室和Load-lock进样室中间插入中央cluster传输模块。模块化设计和轮式支架简化了升级过程,可根据需要和预算来升级系统。